关键词导航 Navigation
文章搜索 Search
首页 > MOSFET
  • ·Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® …2013.1.9
  • [img]http://image.52rd.com/2013/File2013191340835504.jpg[/img][center] 新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术,在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻[/center]   … [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:133
  • ·Mosfet专利到期 台系分离式元件厂抓住机会2013.1.4
  •     去年随着PC市况不佳,且Win 8拉货力道不显,锁定PC/NB为主要终端应用的分离式元件厂商,表现也多走弱,包括二极体厂强茂 、敦南、台半,以及Mosfet厂富鼎、尼克森等,营收多不如前年。不过展望今年,分离式元件厂商则是看好… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:230
  • ·Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V …2012.12.7
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File201212716172315021.jpg[/img][center]器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流[/center]     日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:121
  • ·Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT®封…2012.12.3
  •     [img]http://image.52rd.com/2012/File201212310433383294.jpg[/img][center]器件具有0.8mm x 0.8mm封装,在4.5V下导通电阻低至43mΩ[/center] 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:1 点击:127
  • ·Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET2012.11.29
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File201211291046429017.jpg[/img][center] 器件采用3.3mm平面封装并在4.5V栅极驱动下具有4.8mΩ低导通电阻[/center]     日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:124
  • ·Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器 Hot!2012.11.13
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File201211131092681677.jpg[/img][center]器件采用小尺寸SOP-4封装并集成关机功能,具有8.8V的开路电压和47µA的短路电流,隔离测试电压达4500VRMS[/center]     日前,Vishay Intertechnolo… [阅读全文]
  • 评论:13 推荐:0 点击:163
  • ·Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列2012.10.22
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File201210221495249286.jpg[/img][center]新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A~73A电流,采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度,具有8种封装[/center] 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:258
  • ·Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET® Gen II…2012.10.8
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File20121081374552518.jpg[/img][center]器件在4.5V下具有业内较低的13.5mΩ导通电阻,占位面积为2mm x 2mm和22mm x 3mm x 1.8mm[/center]  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款采用热… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:134
  • ·飞兆半导体新型低功率LED驱动器集成MOSFET2012.7.25
  •     LED驱动器新增产品提高系统可靠性并改善LED性能     随着LED照明市场持续增长,设计人员需要能够适合有限的线路板占位面积、满足电路保护和系统可靠性要求并简化供应链物流,同时符合全球能源法规要求的解决方… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:140
  • ·Vishay Siliconix 的新款 N沟道TrenchFET®功率…2012.7.3
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File20127311385466212.jpg[/img]   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK? SC-7… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:109
  • ·Vishay 推出的下一代D系列MOSFET2012.5.31
  • [center]具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标[/center]   宾夕法尼亚、MALVERN - 2012 年 5 月3 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:2 点击:575
  • ·Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET2012.5.7
  • 宾夕法尼亚、MALVERN - 2012 年 4 月26 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR?功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。   中国电子成就奖的… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:69
  • ·Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通…2012.5.7
  • [img]http://image.52rd.com/2012/File2012571531810201.jpg[/img]      D系列MOSFET采用高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平   宾夕法尼亚、MALVERN - 2012 年 5 月3 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:186
  • ·Diodes新型 MOSFET离板高度减半2012.5.4
  •    Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器件,体积较同类器件纤薄50%。同系列… [阅读全文]
  • 评论:1 推荐:0 点击:137
  • ·IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产…2012.4.24
  •     全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:1 点击:184
  • ·MOSFET结构及其工作原理详解 Hot!2012.3.31
  • 1.MOSFET的 工作原理   MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。   功… [阅读全文]
  • 评论:7 推荐:40 点击:14953
  • ·关于MOSFET驱动电阻的选择2012.3.31
  • L为PCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。   Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。   Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,… [阅读全文]
  • 评论:3 推荐:22 点击:2790
  • ·Diodes MOSFET控制器使电源供应器超越“能源之星…2012.3.8
  •     [img]http://image.52rd.com/2012/File2012389185182398.jpg[/img]         Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极… [阅读全文]
  • 评论:1 推荐:0 点击:97
  • ·Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率2012.1.11
  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:75
  • ·德仪推出最快4A与5A双通道输出 MOSFET 驱动器2012.1.9
  • 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器,进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。   首款 120 V 启动高侧/低侧 MOSFET 驱动器   UCC27210 与 UCC27211 是业界首批 120 V 启动… [阅读全文]
  • 评论:0 推荐:0 点击:186
分类信息 Support
加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】| 加拿大28预测计划【复制fh118.com打开】|